Будут обработаны литературные данные по деградации характеристик и параметров МОП транзисторов с учетом факторов их старения со временем. Будут проанализированы варианты транзисторов с различными проектными нормами: от микрометров до нанометров. Будут разработаны специальные скрипты для расчета измененных параметров МОПТ с учетом факторов старения для последующего моделирования схем на этих транзисторах в пакете SPICE и оценки надежности и времени бессбойной работы МОП схем.

Существенное повышение качества проектирования и надежности компонентов и электронной аппаратуры за счет улучшенного учета влияния электрического режима , проектных норм, технологических особенностей на долговременное изменения параметров и характеристик МОП транзисторов при их работе в схемах. Возможность оценки качества и надежности работы МОП схем , оптимизации МОП схем на этапе проектирования для повышения их показателей надежности .

В соответствии с требованиями проектной деятельности и требования ТЗ на проект

В соответствии с требованиями проектной деятельности и требования ТЗ на проект

Программное обеспечение MathCAD (из внутренней сети МИЭМ НИУ ВШЭ), LtSpice (свободно распространияемое)

научные статьи с данными по долговременному изменению параметров и характеристик МОП транзисторов при их работе в схемах (т.е старению вследствие различных физических факторов)