794 Исследование характеристик МОП-транзисторов с ионнолегированным каналом для фоточувствительных ПЗС БИС с помощью средств САПР

Харитонов Игорь Анатольевич

руководитель проекта

Старт

01.09.2021

Представление

08.11.2021

Постерная сессия

17.02.2022

Защита

18.04.2022

Паспорт проекта

Аннотация

В проекте будут исследованы характеристики МДП-транзистора с йоннолегированным каналом с помощью средств приборно-технологического и схемотехнического анализа. В результате будет получена верифицированная модель такого транзистора для последующего моделирования и проектирования фотоприемных БИС в соответствии с заданными требованиями. Будут определение параметры макромодели МДП-транзистора с йоннолегированным каналом из результатов измерений и моделирования. Для проверки адекватности...

Отрасль

Информатика

Цель

Повышение эффективности процесса проектирования фотоприемных интегральных схем за счет использования верифицированной в проекте модели МОП транзистора со встроенным каналом.

Ожидаемые результаты

Проектные:
Смоделированные характеристики тестовых МОП транзисторов с йоннолегированным каналом. Уточненная модель МОП транзистора с йоннолегированным каналом для проектирования фотоприемных БИС. Характеристики, описание и параметры модели.
Смоделированные с помощью модели характеристики схемы выходного устройства для фотоприемных БИС.
Образовательные:
(в увязке с требованиями ОС НИУ ВШЭ):
Развитие знаний, умений и навыков, связанных с применением профессиональных инструментов.