344 Моделирование сбоев в статических ячейках памяти, вызываемых тяжелыми заряженными частицами

Попов Дмитрий Александрович

руководитель проекта

Старт

08.07.2020

Паспорт проекта

Аннотация

Статические ячейки памяти (в англ. терминологии SRAM – static random access memory) представляют собой элемент памяти, состоящий из 6 МОП-транзисторов. В условиях космического пространства электронные устройства подвергаются воздействию различных видов излучения, в том числе удару тяжелых заряженных частиц. Тяжелые частицы, попадая в ячейки памяти, могут вызвать сбой работы электроники, что в дальнейшем отразится на работе всей системы.

Отрасль

Информатика

Цель

Оценить влияние величины критического заряда вызванного воздействием тяжелой заряженной частицей на сбой ячейки памяти SRAM.

Ожидаемые результаты

Провести приборно-технологическое моделирование удара тяжелой заряженной частицы в ячейку статической памяти на основе МОП-транзистров.
Получить профили импульсов тока вызываемых ударом тяжелой частицы. Рассчитать заряд импульса тока, приводящий к сбою ячейки. Оценить чувствительность ячеек при различных проектных нормах.
Результаты работы планируется представить на международной конференции осенью 2021 года. И в дальнейшем опубликовать в рецензируемом научном издании.