2043 Исследование диссипативных токов в Джозефсоновских контактах с ферромагнитной прослойкой

Васенко Андрей Сергеевич

руководитель проекта

Старт

05.10.2024

Представление

05.11.2024 – 15.11.2024

Постерная сессия

27.01.2025 – 07.02.2025

Защита

14.04.2025 – 25.04.2025

Паспорт проекта

Аннотация

Туннельные Джозефсоновские переходы с ферромагнитной прослойкой могут найти широкое применение в различных устройствах наноэлектроники. Среди них переключатели фазы в квантовых и классических логических цепях, криогенные ячейки памяти, инжекторы в транзисторах на базе структур сверхпроводник/ ферромагнетик (S/F), детекторы излучения и т.д. Исследование диссипативного тока в таких переходах является важной задачей. Вольтамперные характеристики (ВАХ) Джозефсоновских переходов с ферромагнитной...

Отрасль

Физика

Цель

Планируется построить математическую модель, описывающую вольт-амперные характеристики Джозефсоновских переходов с ферромагнитной прослойкой. Важными параметрами такой модели будут являться характеристики ферромагнитного слоя, такие как его толщина, сила обменного взаимодействия, величина магнитного рассеяния и т.д.

Ожидаемые результаты

Вычисление плотности электронных состояний бислоя сверхпроводник/ ферромагнетик при различных параметрах ферромагнетика.
Использование плотности электронных состояний для вычисления диссипативного тока в Джозефсоновском переходе с ферромагнитной прослойкой.
Исследование вольт-амперной характеристики Джозефсоновского перехода с ферромагнитной прослойкой в зависимости от параметров ферромагнитного слоя.

Форма и способы промежуточного контроля

Регулярные встречи с руководителем.

Форма представления результатов

Письменные отчёты.

Ресурсное обеспечение

Для данной работы не требуется особое обеспечение.

Имеющийся задел

Руководитель проекта имеет значительный опыт в исследовании диссипативных токов в Джозефсоновских переходах с ферромагнитной прослойкой [1,2,3,4]. Данная тема традиционно предлагается студентам для освоения методов математического моделирования сверхпроводниковых гибридных структур и является оптимальной для погружения в область. Кроме того, в ней остался ряд нерешённых вопросов, которые планируются изучить в данном проекте и подготовить публикацию в международном журнале. [1] T. Karabassov,...