Завершен
2022 / 2023

1272 Исследование уровней Ландау на поверхности топологического изолятора с заданным беспорядком
Старт
28.09.2022
Представление
22.10.2022
Постерная сессия
23.01.2023
Защита
16.05.2023
Паспорт проекта
Аннотация
В данном проекте изучается влияние беспорядка на поверхности топологического изолятора и гексагонального искажения поверхности Ферми на плотность состояний и уровни Ландау электронов топологического изолятора. Для этой цели мы сперва исследуем плотность электронных состояний на поверхности топологического изолятора для заданного распределения дефектов. Затем будет произведён расчёт уровней Ландау в магнитном поле. Вблизи дефектов уровни Ландау могут иметь сложную тонкую структуру, в том числе...
Отрасль
Информатика
Теги
Информатика
Цель
Расчёт уровней Ландау на поверхности трёхмерного топоголического изолятора при наличии беспорядка и с учётом гексагонального искажения поверхности Ферми.
Ожидаемые результаты
- В ходе выполнения проекта планируется получить пространственное распределение электронной плотности состояний на поверхности топологического изолятора в двух случаях: при отсутствии дефектов на поверхности, а также при наличии конечного числа дефектов. Более того, планируется изучить эффект гексагонального искажения поверхности Ферми топологического изолятора. Наиболее значимым будет получение свидетельства "пересечения" уровней Ландау на локальной плотности состояний в системе при конечном беспорядке (наблюдался экспериментально). Такой эффект возможен вследствие неоднородности точки Дирака в пространстве за счет наличия дефектов (беспорядка).
Форма и способы промежуточного контроля
Отчёты научному руководителю
Форма представления результатов
Отчёт
Ресурсное обеспечение
не требуется
Имеющийся задел
Влияние беспорядка на поверхности топологического изолятора, при наличии гексагонального искажения поверхности Ферми ранее изучалось в нашей группе. См. публикацию:
https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.1c00462
Заказчик
МИЭМ / ДЭИ