1089 Моделирование характеристик МДП транзисторов с учетом деградации их со временем и статистического разброса

Харитонов Игорь Анатольевич

руководитель проекта

Старт

15.01.2022

Представление

28.01.2022

Постерная сессия

18.04.2022

Защита

13.05.2022

Паспорт проекта

Аннотация

Будут обработаны литературные данные по деградации характеристик и параметров МОП транзисторов с учетом факторов их деградации со временем и разброса параметров . Будут проанализированы варианты транзисторов с различными проектными нормами: от микрометров до нанометров. Будут разработаны модели для расчета измененных параметров МОПТ с учетом указанных выше факторов для последующего моделирования схем на этих транзисторах в пакете SPICE и оценки надежности и времени бессбойной работы...

Отрасль

Информатика

Цель

Существенное повышение качества проектирования и надежности интегральной электроники аппаратуры за счет улучшенного учета влияния факторов статистического разброса на долговременное изменения параметров и характеристик МОП транзисторов при их работе в схемах.

Ожидаемые результаты

Проектные:
Обработанные (литературные) данные по деградации характеристик и параметров МОПТ со временем с учетом разброса их параметров. Модели для расчета измененных параметров МОПТ с учетом факторов старения и разброса для моделирования схем на этих транзисторах в программе анализа схем SPICE. Описание моделей. Смоделированные электрические характеристики МОП транзисторов и фрагметов схем с учетом их старения со временем и .разброса параметров.
Образовательные: